Destacados
Sin imagen
LINKEDPRO BY EPCOM
Jumper de Fibra Óptica Monomodo SC/SC Duplex de 5 Metros (16.40 Pies)$545.43 MXN
EPCOM INDUSTRIAL
Reflector Empotrable / LUZ Fría / 110 V / 10 W / 750 lúmenes / 50000 hrs / IP20$905.93 MXN
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
SYSCOM · SKU: IRF9Z30 · Categoría: Radiocomunicación
$226.94 MXN
Stock: 5
Descripción
Transistor de Potencia MOSFET
- Tipo: Canal P
- Voltaje: 50 Volt
- Corriente: 18 Amp.
- Rds: 0.14 Ohm
- Potencia: 74 Watt
- Paquete: TO-220AB
- Aplicación: Analizador III
Características Técnicas
- FET Type: P-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Especificaciones Adicionales
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
- Vgs (Max): ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
- FET Feature: -
- Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
Información del Paquete
- Supplier Device Package: TO-220AB
- Package / Case: TO-220-3
- Base Product Number: IRF9Z30
Te puede interesar
Sin imagen
EPCOM INDUSTRIAL
Herraje para Lámpara de Obstrucción LED Modelo EI-LBIB/OL1-VLED2- IR/ OL2-VLED2-IR$795.08 MXN
SYSCOM TOWERS
Brazo Lateral para Torre Autosoportada, Tubo de 2" Ced. 30 X 60 cm, Sep. 60 cm.$21,991.49 MXN
Sin imagen
RF INDUSTRIES,LTD
Soporte Azúl de Alivio a Tensión en Conectores y Cables tipo RG-58/U, RG-142/U, LMR-195.$57.39 MXN