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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.
$161.99 MXN
Stock: 3
Descripción
Características Principales
- Transistor NPN de silicio con 100 VCE
- Alta corriente de 4 Amperios
- Frecuencia de operación a 130 MHz
- Potencia media de 1.2 Watt
- Formato compacto TO-92
Características Eléctricas
- VCEO: 100 V
- IC (continua): 4 A
- fT: 130 MHz
- Ptot: 1.2 W
- hFE: 100-300
- VCE(sat): 14-200 mV
- VBE(sat): 960-1100 mV
Características Mecánicas
- Encapsulado: TO-92
- Temperatura de operación: -55 a +200 °C
- Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
- Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W
Características de Voltaje
- VCBO: 200 V
- VCEO: 100 V
- VEBO: 6 V
- VCE(sat): 14-200 mV
- VBE(sat): 960-1100 mV
Características de Corriente
- IC (continua): 4 A
- IC (pico): 10 A
- ICBO: 5-10 nA
- IEBO: 10 nA
Características de Frecuencia
- fT: 130 MHz
- ftest: 50 MHz
Características de Conmutación
- ton: 50 ns
- toff: 1650 ns
Características de Potencia
- Ptot a 25°C: 1.2 W
- Ptot práctica: 1.58 W
Aplicaciones Típicas
- Conmutación de alta corriente
- Amplificación de RF
- Circuitos de potencia media
- Fuentes de alimentación
- Control de motores
- Circuitos de protección
